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대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 대한전기학회 전기물성·응용부문회 2006 추계학술대회 논문집
발행연도
2006.10
수록면
50 - 52 (3page)

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본 논문은 고성능 다결정 실리콘(Poly-Si) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor)에서 단일 수직 그레인 경계(Single Perpendicular Grain Boundary)가 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 안정성 평가에서 어떠한 효과를 보이는가에 대해서 살펴보았다. 고온 캐리어 스트레스 하에서(V<SUB>G</SUB>=V<SUB>TH</SUB>+1V, VD=12V), 그레이 경계가 없는 다결정 실리콘 TFT와 비교했을 때 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리콘 TFT는 선기 전도(Electric Conduction)에 작용하는 자유 캐리어(Free Carrier)의 개수가 적기 때문에 상대적으로 더욱 우수한 전기적 특 ... 전체 초록 보기

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]

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