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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.10
- 수록면
- 103 - 104 (2page)
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Pb(Zr,Ti)O₃(PZT) is very attractive ferroelectric materials for ferroelectric random access memory (FeRAM) applications because of its high polarization ability and low process temperature. However, Chemical Mechanical Polishing (CMP) pressure and velocity must be carefully adjusted because FeRAM shrinks to high density devices. The contaminations such as slurry residues due to the absence of the exclusive cleaning chemicals are enough to influence on the degradation of PZT thin film capacitors. The surface characteristi ... 전체 초록 보기
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