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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 이차원 소자 시뮬레이터 TFT2DS
전기학회논문지 C
1999 .01
Inverted Staggered-Type 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 수치적 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
1990 .11
저온 Poly-Si TFT의 공정 단순화를 위한 스태거 구조 박막 트랜지스터 개발
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
선택적 레이저 어닐링을 이용하여 비정질 실리콘 오프셋을 갖는 Inverse Staggered 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
Hydrogenated a-Si TFT Using Ferroelectrics
한국정보통신학회논문지
2005 .06
비정질 실리콘 박막 트랜지스터 캐패시턴스 특성의 온도의존성
전기학회논문지
1995 .10
비정질 실리콘 박막 트랜지스터 히스테리시스 특성의 수학적인 모델링
전기학회논문지
1994 .07
비정질 실리콘 박막트랜지스터 문턱전압의 온도 의존성
전기학회논문지
1997 .01
비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 의한 전계방출기 어레이의 능동제어
대한전자공학회 학술대회
2000 .11
자가정렬을 이용한 스태거드형 3차원 적층 방법에 관한연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2011 .10
플라즈마 CVD에 의한 고전압 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제작
전기학회논문지
1994 .02
비정질 실리콘 박막 트렌지스터의 2차원적 수치 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
1991 .11
비정질 실리콘 박막트랜지스터의 실효정전용량에 기초한 C-V 특성 ( A Capacitance-Voltage Characteristics Based on Effective Capacitance in a-Si:H TFT )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
비정질 실리콘 박막트랜지스터의 실효정전용량에 기초한 C-V 특성
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
비정질 실리콘 박막트랜지스터 캐패시턴스 특성의 수학적 모델분석
전기학회논문지
1993 .06
반전형 Stagger전극 a-Si Tft에서 이동도 근사화를 통한 전류전압특성 Simulation ( A Simulation of I-V Characteristics Through Approximation of Mobility in Inverted Staggered-Electrode a-Si Tft )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
반전형 Stagger전극 a-Si TFT에서 이동도 근사화를 통한 전류전압특성 Simulation
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
a-IGZO TFT의 소자 구조변화에 따른 전기적 특성변화
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
비정질실리콘 박막트랜지스터 비휘발성 메모리소자
한국정보통신학회논문지
2009 .06
비정질 실리콘 박막트랜지스터의 2차원 유한차분 Simulation
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
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