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김익원 (인천대학교) 조용훈 (인천대학교) 임두리 (인천대학교) 김대현 (인천대학교) 박종태 (인천대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회
발행연도
2015.11
수록면
82 - 85 (4page)

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In this research, we designed a-IGZO TFT"s Staggered type and Coplanar type by using ATLAS simulation tool and also we measured drain current, Sub-threshold Slope, Gm, threshold voltage, field effect mobility and reliability. Consequently, we could not find the difference of degradation phenomenon but we found that Staggered type structure has better electrical characteristic than Coplanar type structure in all of the evaluation items. With the result of our research, Staggered type structure has fast switching speed and can be used for a amplification device. And also we proved the cause of trait change in drain current according to 4 different device structures by utilizing the change in effective channel length. Consequently, Staggered Top structure has the shortest effective channel length. As a result, we found that Staggered Top structure showed the best characteristic of drain current. Finally, we hope that the results of our research can be used in future TFT market.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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