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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 수학적인 모델
Ⅲ. 실험 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
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비정질 실리콘 박막 트랜지스터 히스테리시스 특성의 수학적인 모델링
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1994 .07
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전기학회논문지
1997 .11
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1990 .11
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1997 .01
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1995 .10
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1991 .05
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1989 .05
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한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
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전자공학회논문지-A
1994 .11
저온 다결정실리콘 박막트랜지스터의 수소화효과
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
저온 다결정실리콘 박막트랜지스터의 수소화효과 ( Hydrogenation Effects of Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
자연 산화막과 엑시머 레이저를 이용한 poly-Si/a-Si 이중 박막 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전기학회논문지 C
2000 .01
저온에서 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 수소화 효과에 대한 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .07
고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 전기적 특성과 누설전류 특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
짧은 채널 길이의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 스트레스에 대한 연구 ( A Study of Electrical Stress on Short Channel Poly-Si Thin Film Transistors )
전자공학회논문지-A
1995 .08
비정질 실리콘 박막트랜지스터의 2차원 유한차분 Simulation
대한전자공학회 학술대회
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