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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.7
- 수록면
- 1,253 - 1,254 (2page)
이용수
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2009
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This paper presents the new termperature compensation circuits and the temperature detection sensor for the improved NAND flash cell characteristics. The above mentioned circuits have improved the NAN D flash cell characteristics affected by temperature changes.
First, the new temperature compensation circuits make the bias levels (different accoring to the temperature.)(smaller for hot temp.) This is why that the cell chrateristics is mainly influenced by temperature changes. As results, the cell distribution with the temperature compensation circuits is narrower about 200mV than the conventional cell distribution. Also, the new OPAMP design for OutAmp makes the bias level over 4.5V which was constricted by PMOS breakdown. With thi ... 전체 초록 보기
First, the new temperature compensation circuits make the bias levels (different accoring to the temperature.)(smaller for hot temp.) This is why that the cell chrateristics is mainly influenced by temperature changes. As results, the cell distribution with the temperature compensation circuits is narrower about 200mV than the conventional cell distribution. Also, the new OPAMP design for OutAmp makes the bias level over 4.5V which was constricted by PMOS breakdown. With thi ... 전체 초록 보기
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