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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
문정현 (서울대학교)
저널정보
대한전기학회 전기의세계 전기의 세계 제59권 제2호
발행연도
2010.2
수록면
18 - 23 (6page)

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목차

1. 차세대 고전압 반도체 SiC MOSFET 소개
2. SiC DMOSFET 게이트 산화막의 문제점
3. 질화처리된 게이트 산화막 형성하기 위한 다양한 노력
4. 고전압 4H-SiC DMOSFET 소자게이트 질화처리 산화막 제작 기술의 전망
5. 고전압 4H-SiC DMOSFET 소자의 전망
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