4H-SiC JBS Diode의 Schottky면적에 따른 전기적 특성에 관한 연구

원종일 ,  박건식 ,  구진근 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

FABRICATION OF 4H-SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES

Kang ,  S.C. ,  Kum 외 6명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Pt/4H-SiC Schottky Barrier Diodes의 특성에서 Schottky 접합의 열처리 효과

강수창 ,  금병훈 ,  도석주 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

고온 , 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 ( Fabrications and Characterization of High Temperature , High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes )

이호승 ,  이상욱 ,  신동혁 외 2명

전자공학회논문지-D

1998 .11

P-N Junction & Schottky Diode

이종현

대한전자공학회 단기강좌

1982 .01

대향 타겟 스퍼터링법으로 제작한 SiC SBD의 전기적 특성

이진선 ,  강태영 ,  김경환

반도체디스플레이기술학회지

2015 .01

$B^+$ 이온주입을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode 소자의 항복전압 향상 특성에 관한 연구

강수창 ,  신무환

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Schottky Diode 기반 Multi-Mode Rectifier 설계

강지훈 ,  박형구 ,  장재형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2013 .07

SiC 다이오드를 이용한 전력변환회로

이유신 ,  오덕진 ,  김희준

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .10

UV detector를 위한 4H-SiC Schottky Photodiode의 제작

정상용 ,  나훈주 ,  송호근 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2004 .01

평면 및 트렌치 구조를 갖는 실리콘 카바이드 JBS 다이오드 특성 연구

김상기 ,  원종일 ,  박건식 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2017 .06

Effect on 4H-SiC Schottky Rectifiers of Ar Discharges Generated in A Planar Inductively Coupled Plasma Source

P.G. Jung ,  W. T. Lim ,  G.S. Cho 외 8명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .03

고내압용 Au/Ni/Ti/3C-SiC 쇼트키 다이오드의 제작과 그 특성

심재철 ,  정귀상

전기전자재료학회논문지

2011 .01

수율 향상을 위한 4H-SiC 쇼키 접합 및 소자 제작공정기술 연구

강수창 ,  신무환

한국재료학회 학술발표대회

2000 .01

Schottky Diode를 위한 적층 접합 기반 복합 2차원 소재 개발

전성찬 ,  강정섭 ,  박세원

한국생산제조학회 학술발표대회 논문집

2019 .05

Study on Fabrication of P-type HgZnTe Schottky Barrier Diode and its Characterization

Ki Hyun Kim ,  Ki Nam Oh ,  Jin Ki Hong 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Modified Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier

Jin-Woo Moon ,  Yea ,  n-Ik Choi 외 1명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2005 .04

PECVD로 증착된 SiC 박막의 다양한 금속으로 제작된 SiC Schottky diode 전기적 특성에 따른 연구

송진형 ,  김정우 ,  김지균 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2004 .11

낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR)

배동우 ,  김광수

전기전자학회논문지

2017 .03

광 주파수 측정용 Schottky 다이오드의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of Schottky Diode at Laser Frequency )

김종수 ,  원종욱

대한전자공학회 학술대회

1987 .01