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This paper describes the information for quantitative simulation of weakly ionized plasma.
We must grasp the meaning of the plasma state condition to utilize engineering application and to understand materials of plasma state.
SF? gas is widely used in industrial of insulation field. In this paper, N₂ is mixed to improve pure SF? gas characteristics. Electron transport coefficients in SF?-N₂ mixture gases are simulated in range of E/N values from 70 to 400 [Td] at 300K and 1 Torr by using Boltzmann equation method. The results of this method , which are ionization coefficient, attachment coefficient, effective ionization coefficient, and critical E/N, can be important data to present characteristic of gas for insulation.
Specially critical E/N is a data to evaluate insulation strength of a gas and is presented in this paper for various mixture ratios of SF?-N₂ mixture gases.
We must grasp the meaning of the plasma state condition to utilize engineering application and to understand materials of plasma state.
SF? gas is widely used in industrial of insulation field. In this paper, N₂ is mixed to improve pure SF? gas characteristics. Electron transport coefficients in SF?-N₂ mixture gases are simulated in range of E/N values from 70 to 400 [Td] at 300K and 1 Torr by using Boltzmann equation method. The results of this method , which are ionization coefficient, attachment coefficient, effective ionization coefficient, and critical E/N, can be important data to present characteristic of gas for insulation.
Specially critical E/N is a data to evaluate insulation strength of a gas and is presented in this paper for various mixture ratios of SF?-N₂ mixture gases.
목차
Abstract
1. 서론
2. 해석 방법
3. 전자충돌 단면적
4. 결과 및 고찰
5. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
1. [단행본] - 高柳和夫 / 1978 / 電子, 原子, 分子の衝突 / 培風館 : 51 ~ 69
2. [기타자료] - 山本 / 1992 / "モンテカルロシミュレーションによるカスの電子衝突斷面績", 電氣學會放電硏究會資料, ED-92-101 : 71 ~ 80
3. [기타자료] - 菅野卓雄 / 1985 / "半導體 プラズマ プロセス技術"産業圖書), pp.38-50, 1993. J. phys. 38. 677-85. 1985
4. [기타자료] - / 1988 / "大森義行, 下妻光夫, 田頭博昭, ガスの電子衝突斷面績およびスウオ-厶ペラメ一タ" ED-86-114, HV-86-34
5. [단행본] - 小沼光晴 / 1993 / プラズマと成膜の基礎 / 日刊工業新聞社 : 13 ~ 20
2. [기타자료] - 山本 / 1992 / "モンテカルロシミュレーションによるカスの電子衝突斷面績", 電氣學會放電硏究會資料, ED-92-101 : 71 ~ 80
3. [기타자료] - 菅野卓雄 / 1985 / "半導體 プラズマ プロセス技術"産業圖書), pp.38-50, 1993. J. phys. 38. 677-85. 1985
4. [기타자료] - / 1988 / "大森義行, 下妻光夫, 田頭博昭, ガスの電子衝突斷面績およびスウオ-厶ペラメ一タ" ED-86-114, HV-86-34
5. [단행본] - 小沼光晴 / 1993 / プラズマと成膜の基礎 / 日刊工業新聞社 : 13 ~ 20
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