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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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대한전자공학회 학술대회
2010 .06
RSP 프로세스의 연구개발
시멘트
1978 .01
Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
도로함몰 현상 대응을 위한 전략과제 도출
한국안전학회지
2016 .01
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시멘트
1973 .01
0.35um BDC 공정의 Implantation 효과를 이용한 nLDMOS Performance 안정화 구현
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
블록체인을 위한 RSP 합의 알고리즘
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2019 .08
0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
0.35um BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
Trench Gate 구조를 이용한 LDMOS의 항복전압 개선
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
근거리 무선통신용 RF LDMOS 소자의 전기전 특성
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
N 버퍼층을 갖는 수퍼접합 LDMOS
전기학회논문지 C
2006 .02
1㎛ BCD 650V 공정을 이용한 300W 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동IC의 설계
대한전자공학회 학술대회
2008 .06
융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS
전기학회논문지
1998 .08
1800 MHz 대역 50 W 급 LDMOS 고효율 전류모드 D 급 전력 증폭기의 설계
한국통신학회 학술대회논문집
2004 .07
표준 CMOS 공정에서의 LDMOS를 이용한 고속 레벨시프터 설계
대한전자공학회 학술대회
2007 .11
고내압 BCD 소자의 제작 및 전기적 특성에 관한 연구
전기전자학회논문지
2011 .03
경사진 Field Plate을 갖는 SOI LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .11
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