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2013
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The explosion of a nuclear weapon radiates a gamma-ray in the form of a transient pulse. If the gamma-ray introduces to semiconductor devices, much Electron-Hole Pairs(EHPs) are generated in depletion region of the devices[7]. as a consequence of that, high photocurrent is created and causes upset, latchup and burnout of semiconductor devices[8]. This phenomenon is known for Transient Radiation Effects on Electronics(TREE), also called dose-rate effects. In this paper 3D structure of inverter and NAND gate device was designed and transient pulse gamma-ray was modeled. So simulation for transient radiation effect on inverter and NAND gate was accomplished and mechanism for upset and latchup was analyzed.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - D. R. Alexander / / Transient Ionizing Radiation Effects in Devices and Circuits / IEEE Trans. Nucl. Sci. 50 : 565 ~ 582
2. [학술지(정기간행물)] - 이 남 호 / 2005 / 적외선 탐지소자의 내방사선화 연구 / 전기학회논문지 C권 54 (11-C) : 490 ~ 492
3. [학술대회논문] - 이현진 / 2008 / CMOS 소자에서 과도방사선 펄스에 의한 Dose-Rate Latchup 모의실험 / 2008 대한전자공학회 하계종합학술대회 : 1185 ~ 1186
4. [보고서] - C. Lewis / 1995 / Transient Radiation Effects on Electronics (TREE) Handbook
5. [학술지(정기간행물)] - J. L. Wirth / / The Transient Response of Transistors and Diodes to Ionizing Radiation NS-11 (5) : 24 ~ 38
2. [학술지(정기간행물)] - 이 남 호 / 2005 / 적외선 탐지소자의 내방사선화 연구 / 전기학회논문지 C권 54 (11-C) : 490 ~ 492
3. [학술대회논문] - 이현진 / 2008 / CMOS 소자에서 과도방사선 펄스에 의한 Dose-Rate Latchup 모의실험 / 2008 대한전자공학회 하계종합학술대회 : 1185 ~ 1186
4. [보고서] - C. Lewis / 1995 / Transient Radiation Effects on Electronics (TREE) Handbook
5. [학술지(정기간행물)] - J. L. Wirth / / The Transient Response of Transistors and Diodes to Ionizing Radiation NS-11 (5) : 24 ~ 38
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