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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이남호 (한국원자력연구원) 이승민 (충남대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제59권 제9호
발행연도
2010.9
수록면
1,611 - 1,614 (4page)

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The explosion of a nuclear weapon radiates a gamma-ray in the form of a transient pulse. If the gamma-ray introduces to semiconductor devices, much Electron-Hole Pairs(EHPs) are generated in depletion region of the devices[7]. as a consequence of that, high photocurrent is created and causes upset, latchup and burnout of semiconductor devices[8]. This phenomenon is known for Transient Radiation Effects on Electronics(TREE), also called dose-rate effects. In this paper 3D structure of inverter and NAND gate device was designed and transient pulse gamma-ray was modeled. So simulation for transient radiation effect on inverter and NAND gate was accomplished and mechanism for upset and latchup was analyzed.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌
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