메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정상훈 (전북대학교) 이남호 (한국원자력연구원) 이민수 (한국과학기술원) 조성익 (전북대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제61권 제3호
발행연도
2012.3
수록면
422 - 426 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Transient radiation is emitted during a nuclear explosion. Transient radiation causes a fatal error in the CMOS circuit as a Upset and Latch-up. In this paper, transient radiation NMOS, PMOS, INVERTER SPICE model was proposed on the basisi of transient radiation effects analysis using TCAD(Technology Computer Aided Design). Photocurrent generated from the MOSFET internal PN junction was expressed to the current source and Latch-up phenomenon in the INVERTER was expressed to parasitic thyristor for the transient radiation SPICE model. For example, the proposed transient radiation SPICE model was applied to CMOS NAND circuit.. SPICE simulated characteristics were similar to the TCAD simulation results. Simulation time was reduced to 120 times compared to TCAD simulation.

목차

Abstract
1. 서론
2. SPICE 모델을 위한 TCAD 분석
3. 과도방사선 SPICE 모델 및 응용 예
4. 시뮬레이션 및 고찰
5. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개

참고문헌 (5)

참고문헌 신청

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2013-560-001524630