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The GaAs epitaxial layers were grown on Si(100) substrates by molecular beam epitaxy(MBE) using the two-step method. The Si(100) substrates were cleaned with different surface cleaning method of vacuum heating, As-beam, and Ga-beam at the substrate temperature of 800℃. Growth temperature and thickness of the GaAs epitaxial layer were 800℃ and 1 ㎛, respectively. The surface structure and epitaxial growth were observed by reflection high-energy electron diffraction(RHEED) and scanning electron microscope(SEM). Just surface structure of the Si(100) substrate cleaned by Ga-beam at 800oC shows double domain (2 × 1). RHEED patterns of the GaAs epitaxial layers grown on Si(100) substrates with cleaning method of vacuum heating, As-beam, and Ga-beam show spot-like, (2 × 4) with spot, and clear (2 × 4). From SEM, it is found that the GaAs epitaxial layers grown on Si(100) substrates with Ga-beam cleaning has a high quality.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - T. W. Kang / 1996 / / Microelectronics J. 27 : 423 ~
2. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Leem / 1990 / / Appl. Phys. Lett. 57 : 2228 ~
3. [학술지(정기간행물)] - H. Usui / 2009 / / Journal of crystal growth 311 : 2269 ~
4. [학술지(정기간행물)] - H. Huang / 2008 / / J. Appl. Phys. 104 : 113 ~ 114
5. [학술지(정기간행물)] - T. Soga / 2000 / / J. Appl. Phys. 87 : 2285 ~
2. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Leem / 1990 / / Appl. Phys. Lett. 57 : 2228 ~
3. [학술지(정기간행물)] - H. Usui / 2009 / / Journal of crystal growth 311 : 2269 ~
4. [학술지(정기간행물)] - H. Huang / 2008 / / J. Appl. Phys. 104 : 113 ~ 114
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