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저자정보
서정 (한국기계연구원) 신동식 (한국기계연구원) 손현기 (한국기계연구원) 송준엽 (한국기계연구원)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.27 No.10
발행연도
2010.10
수록면
40 - 44 (5page)

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Laser drilling is an enabling technology for Through Silicon Via (TSV) interconnect applications. Recent advances in picoseconds laser drilling of blind, micron sized vias in silicon is presented here highlighting some of the attractive features of this approach such as excellent sidewall quality. In this study, we dealt with comparison of heat affection around drilled hole between a picosecond laser and a nanosecond laser process under the UV wavelength. Points which special attention should be paid are that picosecond laser process lowered experimentally recast layer, surface debris and micro-crack around hole in comparison with nanosecond laser process. These finding suggests that laser TSV process has possibility to drill under 10μm via. Finally, the laser drilling platform was constructed successfully.
#Laser (레이저) #Drilling (드릴링) #Picosecond (피코초, 10-12초) #TSV (실리콘 관통 전극) #Platform (플랫폼)

목차

1. 서론
2. 피코초 레이저를 이용한 TSV드릴링
3. 결론
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