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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.11
- 수록면
- 2,016 - 2,020 (5page)
이용수
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Indium-zinc-oxide (IZO) films were deposited at room temperature via RF sputtering with varying the flow rate of additive nitrogen gas (N₂). Thin film transistors (TFTs) with an inverted staggered configuration were fabricated by employing the various IZO films, such as N₂-added and pure (i.e., w/o N₂-added), as active channel layers. For all the deposited IZO films, effects of additive N₂ gas on their deposition rates, electrical resistivities, optical transmittances and bandgaps, and chemical structures were extensively investigated. Transfer characteristics of the IZO-based TFTs were measured and characterized in terms of the flow rate of additive N₂ gas. The experimental results indicated that the transistor action occurred when the N₂-added (with N₂ flow rate of 0.4-1.0 sccm) IZO films were used as the active layer, in contrast to the case of using the pure IZO film.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개
참고문헌 (16)
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1. [학술지(정기간행물)] - U. Ozgur / 2005 / / J. Appl. Phys 98
2. [학술지(정기간행물)] - D. C. Paine / 2008 / / Thin Solid Films 516 : 5894 ~ 5894
3. [학술지(정기간행물)] - H. Yabuta / 2006 / / Appl. Phys. Lett 89
4. [학술지(정기간행물)] - K. S. Jang / 2010 / / Thin Solid Films 518 : 2808 ~ 2808
5. [학술지(정기간행물)] - E. Fortunato / 2007 / / Phys. Stat. Sol. 1 (1) : R34 ~ R34
2. [학술지(정기간행물)] - D. C. Paine / 2008 / / Thin Solid Films 516 : 5894 ~ 5894
3. [학술지(정기간행물)] - H. Yabuta / 2006 / / Appl. Phys. Lett 89
4. [학술지(정기간행물)] - K. S. Jang / 2010 / / Thin Solid Films 518 : 2808 ~ 2808
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