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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.4
- 수록면
- 101 - 104 (4page)
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Many studies in crystalline silicon solar cell fabrication have been focused on high efficiency and low cost. In this paper, we carried out the doping procedure by varying the silicon wafer thicknesses and sheet resistance. The silicon wafers with various thicknesses were obtained by shiny etching and texturing. The thicknesses of wafers were 100, 120, 150, and 180 ㎛. The emitter layer formed by POCI₃ doping process had sheet resistance with 40 and 80 Ω/sq for selective emitter application. This experiment indicated wafer thickness did not influence sheet resistance but lifetime was strongly effected.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 분석
4. 결론
5. 후기
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