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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 63 - 67 (5page)
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Aluminum oxide (Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>) film deposited by atomic layer deposition (ALD) is known to supply excellent surface passivation properties on crystalline Si surface. The quality of passivation layer is important for high-efficiency silicon solar cell. double-layer structures have many advantages over single-layer materials. Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/SiN<SUB>X</SUB> passivation stacks have been widely adopted for high- efficiency silicon solar cells. The first layer, Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>, passivates the surface, while SiN<SUB>X</SUB> acts as a hydrogen source that saturates silicon dangling bonds during annealing treatment. We explored the properties on passivation film of Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/SiN<SUB>X</SUB> stack layer with changing the conditions. For the post annealing temperature, it was found that 500 ℃ is the most suitable temperature to improvement surface passivation.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
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