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현지연 (고려대학교) 송인설 (고려대학교) 김재은 (고려대학교) 배수현 (고려대학교) 강윤묵 (고려대학교) 이해석 (고려대학교) 김동환 (고려대학교)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research Vol.5 No.2
발행연도
2017.6
수록면
63 - 67 (5page)

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Aluminum oxide (Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>) film deposited by atomic layer deposition (ALD) is known to supply excellent surface passivation properties on crystalline Si surface. The quality of passivation layer is important for high-efficiency silicon solar cell. double-layer structures have many advantages over single-layer materials. Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/SiN<SUB>X</SUB> passivation stacks have been widely adopted for high- efficiency silicon solar cells. The first layer, Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>, passivates the surface, while SiN<SUB>X</SUB> acts as a hydrogen source that saturates silicon dangling bonds during annealing treatment. We explored the properties on passivation film of Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/SiN<SUB>X</SUB> stack layer with changing the conditions. For the post annealing temperature, it was found that 500 ℃ is the most suitable temperature to improvement surface passivation.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
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