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논문 기본 정보

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송정은 (서강대학교) 황동현 (서강대학교) 황원석 (하이닉스반도체) 김광수 (서강대학교) 이승훈 (서강대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第48卷 SD編 第5號
발행연도
2011.5
수록면
25 - 33 (9page)

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본 논문에서는 CIS 응용을 위해 제한된 폭을 가지는 10비트 50MS/s 0.13㎛ CMOS 3단 파이프라인 ADC를 제안한다. 통상 CIS에 사용되는 아날로그 회로에서는 수용 가능한 조도 범위를 충분히 확보하기 위해 높은 전원전압을 사용하여 넓은 범위의 아날로그 신호를 처리한다. 그 반면, 디지털 회로에서는 전력 효율성을 위해 낮은 전원전압을 사용하므로 제안하는 ADC는 해당 전원전압들을 모두 사용하여 넓은 범위의 아날로그 신호를 낮은 전압 기반의 디지털 데이터로 변환하도록 설계하였다. 또한 2개의 잔류 증폭기에 적용한 증폭기 공유기법은 각 단의 증폭동작에 따라 전류를 조절함으로써 증폭기의 성능을 최적화 하여 전력 효율을 더욱 향상시켰다. 동일한 구조를 가진 3개의 FLASH ADC에서는 인터폴레이션 기법을 통해 비교기의 입력 단 개수를 절반으로 줄였으며, 프리앰프를 제거하여 래치만으로 비교기를 구성하였다. 또한 래치에 입력 단과 출력 단을 분리하는 풀-다운 스위치를 사용하여 킥-백 잡음으로 인한 문제를 최소화하였다. 기준전류 및 전압회로에서는 온-칩 저 전력전압구동회로만으로 요구되는 정착시간 성능을 확보하였으며, 디지털 교정회로에는 신호특성에 따른 두 종류의 레벨-쉬프트 회로를 두어 낮은 전압의 디지털 데이터가 출력되도록 설계하였다. 제안하는 시제품 ADC는 0.35㎛ thick-gate-oxide 트랜지스터를 지원하는 0.13㎛ CMOS로 제작되었으며, 측정된 DNL 및 INL은 10비트에서 각각 최대 0.42LSB, 1.19LSB 수준을 보이며, 동적 성능은 50MS/s 동작속도에서 55.4㏈의 SNDR과 68.7㏈의 SFDR을 보인다. 시제품 ADC의 칩 면적은 0.53㎟이며, 2.0V의 아날로그 전압, 2.8V 및 1.2V 등 두 종류의 디지털 전원전압에서 총 15.6㎽의 전력을 소모한다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안하는 ADC 전체 구조
Ⅲ. 제안하는 ADC의 주요 회로 설계기법
Ⅳ. 시제품 ADC 제작 및 성능 측정
Ⅴ. 결론
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