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논문 기본 정보

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저자정보
강전홍 (한국표준과학연구원) 유광민 (한국표준과학연구원) 구경완 (호서대학교) 한상옥 (충남대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제60권 제7호
발행연도
2011.7
수록면
1,434 - 1,437 (4page)

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Precision measurement of silicon wafer resistivity has been using single-configuration Four-Point Probe(FPP) method. This FPP method have to applying sample size, shape and thickness correction factor for a probe pin spacing to precision measurement of silicon wafer. The deference for resistivity measurement values applied correction factor and not applied correction factor was about 1.0 % deviation. The sample size, shape and thickness correction factor for a probe pin spacing have an effects on precision measurement for resistivity of silicon wafer.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
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