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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Ho Joon Lee Kyung Ki Kim (Daegu University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2011 Conference
발행연도
2011.11
수록면
440 - 443 (4page)

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As CMOS technology is scaled down more aggressively; the reliability mechanism (or aging effect) caused by progressive gate oxide breakdown, also called time dependent dielectric breakdown (TDDB), has become a major reliability concern. With the present of TDDB, it is difficult to control the ON current of the MOSFET device. In addition, nanoscale CMOS circuits suffer from increased gate leakage current and power consumption. In this paper, the TDDB effects on delay and power of the nanoscale CMOS circuits are analyzed using inverter chains and ISCAS85 benchmark circuits, which are designed using 45-nm CMOS predictive technology model. Finally, we discuss post-silicon adaptive tuning techniques to compensate the TDDB impact on the CMOS circuits.
#time dependent dielectric breakdown #TDDB #reliability #aging effect.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. TIME DEPENDENT DIELECTIC BREAKDOWN
III. TDDB MODELING
IV. SIMULATION RESULTS AND DISCUSSION
V. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES

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