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대한전자공학회 전자공학회논문지-A 전자공학회논문지 A편 제33권 제7호
발행연도
1996.7
수록면
1,360 - 1,368 (9page)

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1996

정전류 스트레스 하에서 게이트 산화막의 항복 특성 예측 ( Prediction of Gate Oxide Breakdown under Constant Current Stresses )
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1994

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정전류 스트레스에 의한 산화막의 신뢰성 특성의 통계적 모델링 ( Statistical modeling of Silicon Dioxide Reliabilities under Constant Current Stress )
정태식 ,  이상돈 ,  김봉열 대한전자공학회 학술대회 1994.07 학술대회자료

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