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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.29 No.4
- 발행연도
- 2012.4
- 수록면
- 479 - 486 (8page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
2011
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Two of fundamental approaches that can be used to understand ion-solid interaction are Monte Carlo (MC) and Molecular Dynamic (MD) simulations. For the simplicity of simulation Monte Carlo simulation method is widely preferred. In this paper, basic consideration and algorithm of Monte Carlo simulation will be presented as well as simulation results. Sputtering caused by incident ion beam will be discussed with distribution of sputtered particles and their energy distributions. Redeposition of sputtered particles that are experienced refraction at the substrate-vacuum interface additionally presented. In addition, reflection of incident ions with reflection coefficient will be presented together with spatial and energy distributions. This Monte Carlo simulation will be useful in simulating and describing ion beam related processes such as Ion beam induced deposition/etching process, local nano-scale distribution of focused ion beam implanted ions, and ion microscope imaging process etc.
목차
1. 서론
2. 몬테 카를로 시물레이션
3. 시물레이션 결과
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
Ivor, I. / 1992 / The Physics of Micro/Nano-fabrication / Plenum Press
Kaesmaier, R. / 2000 / Ion Projection Lithography: Progress of European MEDEA & International Program / Microelectron. Eng. 53(1):37~45
Frey, L. / 2003 / Nanoscale Effects in Focused Ion Beam Processing / Appl. Phys. A 76(7):1017~1023
김흥배 / 2011 / 집속이온빔을 이용한 마이크로/나노스케일에서의 실리콘 금형 가공 특성 / 한국정밀공학회지 28(8):966~974
Kim, H. B. / 2007 / Level set approach for the simulation of focused ion beam processing on the micro/nano scale / Nanotechnology 18(26):265307
Kaesmaier, R. / 2000 / Ion Projection Lithography: Progress of European MEDEA & International Program / Microelectron. Eng. 53(1):37~45
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