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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Eun Sik Jung (고려대학교) Yu Seup Cho (고려대학교) Ey Goo Kang (극동대학교) Yong Tae Kim (한국과학기술연구원) Man Young Sung (고려대학교)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.7 No.4
발행연도
2012.7
수록면
601 - 605 (5page)

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Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) have received wide attention because of their high current conduction and good switching characteristics. To reduce the power loss of IGBT, the onstate voltage drop should be lowered and the switching time should be shortened. However, there is trade-off between the breakdown voltage and the on-state voltage drop. The FLoatingIsland(FLI) structure can lower the on-state voltage drop without reducing breakdown voltage. In this paper, The FLI IGBT shows an on-state voltage drop that is 22.5% lower than the conventional IGBT, even though the breakdown voltages of each IGBT are almost identical.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Theoretical Analysis and Simulation of FLI Structure
3. Conclusion
Acknowledgment
References

참고문헌 (5)

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