IGBT 기반 인덕턴스 및 문턱전압 변화에 따른 초퍼 회로의 연구

노영환

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자료유형: 학술저널

저자정보: 노영환 (우송대학교)

저널정보: 한국철도학회 한국철도학회 논문집 한국철도학회 논문집 제13권 제5호

발행연도: 2010.10

수록면: 504 - 508 (5page)

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IGBT 기반 인덕턴스 및 문턱전압 변화에 따른 초퍼 회로의 연구

노영환 한국철도학회 논문집 2010.10 학술저널

IGBT 기반 인덕턴스 및 문턱전압 변화에 따른 부하 회로의 연구

노영환 , 이상용 , 박경석 제어로봇시스템학회 국내학술대회 논문집 2010.05 학술대회자료

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고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)의 개발로 기존의 GTO(Gate Turnoff Thyristor)가 적용되는 분야에서 더 효율적인 새로운 소자로 인정받고 있다. IGBT는 금속 산화막 반도체 트랜지스터(MOSFET)와 바이폴라 전력 트랜지스터의 장점을 결합한 소자이다. IGBT의 전기적 특성의 변화는 주로 입력단자에 MOSFET와 출력단자에 PNP 트랜지스터의 특성에 달려있다. IGBT의 가장 중요한 설계변수중의 하나인 문턱전압의 변화는 방사선이 존재하는 환경에 게이트 산화막(oxide)에서 전하포획(charge trapping)에 의해 발생되고 에너지 손실을 야기시킨다. 또한, 에너지 손실은 초퍼회로의 인덕턴스 값이 변화될 때 발생됨을 연구한다. 본 논문에서 IGBT의 전기적 특성을 SPICE로 시뮬레이션하고, IGBT 기반 인덕턴스와 문턱전압의 변화에 따른 전기적 특성을 분석하고자 한다.

#IGBT #Energy loss #Threshold voltage #Inductive chopper circuit #Turn-off switch #에너지 손실 #문턱전압 #초퍼회로 #턴-오프 스위치

참고문헌 (10)

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1. [단행본] - Muhammad H. Rashid / 2004 / Power Electronics Circuits,Devices, and Applications / Pearson Prentice Hall : 158 ~

2. [학술지(정기간행물)] - Z.H. Tong / 1996 / Effects of Gamma Irradiation on the Insulated-Gate Bipolar Transistor / Microelctron. Reliab 36 (10) : 1489 ~ 1498

3. [학술지(정기간행물)] - M. Marceau / 1999 / Study of Dose Effects on IGBT-Type Devices Subjected to Gamma Irradiation / IEEE Transactions on Nuclear Science 46 (6)

4. [단행본] - Ned Mohan / 2003 / Power Electronics / John Wiley & Sons, Inc., : 24 ~ 28

5. [학술대회논문] - Y.H. Lho / 2007 / Radiation Effects on IGBT under gamma Irradiation / International Conference on Control, Automation and Systems : 17 ~ 20

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