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이용수
2006
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
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Analytical Models for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 4H-SiC Schottky Diodes
전자공학회논문지-SD
2008 .06
새로운 전계 제한테 구조를 갖는 탄화규소 기판의 쇼트키 다이오드의 제작과 특성 분석
한국정보통신학회논문지
2006 .07
$B^+$ 이온주입을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode 소자의 항복전압 향상 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Pd-SiC 쇼트키 다이오드의 수소 가스 감지 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
수소처리를 통한 탄화규소 쇼트키 다이오드의 역방향 특성 개선
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
FABRICATION OF 4H-SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Pt-SiC 쇼트키 다이오드를 이용한 Co Gas 감지 특성에 대한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .11
4H-SiC 항복전계 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구 ( A Study of 1-5 Characteristics in Schottky Diode )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
높은 항복전압을 위한 최적 계단산화막의 쇼트키 다이오드 ( The Schottky Diode of Optimal Stepped Oxide Layer for High Breakdown Voltage )
전자공학회논문지
1986 .07
고온 , 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 ( Fabrications and Characterization of High Temperature , High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes )
전자공학회논문지-D
1998 .11
SiC 다이오드를 이용한 전력변환회로
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .10
6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현
전자공학회논문지-SD
2009 .06
GaAs 쇼트키 다이오드의 항복전압 모델링
전기학회논문지
1998 .08
4H-SiC Schottky Barrier Diode Using Double-Field-Plate Technique
전자공학회논문지
2016 .07
이중 에피층을 갖는 쇼트키 다이오드의 항복전압 모형
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
6인치 4H-SiC Wafer기반 SiC Power Diode 소자 제작 및 특성 평가
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
Pd- 및 Pt-SiC 쇼트키 다이오드의 수소 가스 감지 특성
전기학회논문지 C
2000 .07
Pd/다결정 3C-SiC 쇼트키 다이오드형 수소센서의 제작과 그 특성
센서학회지
2009 .01
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