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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이은구 (부천대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제61권 제12호
발행연도
2012.12
수록면
1,872 - 1,876 (5page)

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A calculation method of the breakdown voltage for the drain region with the cylindrical structure in LDMOS is proposed. The depletion region of the drain is divided into many smaller regions and the doping concentration of each split region is assumed to be uniformly distributed. The field and potential in each split region is calculated by the integration of the Poisson equation and the ionization integral method is used to compute the breakdown voltage. The breakdown voltage resulted from the proposed method shows the maximum relative error of 2.2% compared with the result of the 2-dimensional device simulation using BANDIS.

목차

Abstract
1. 서론
2. Drain 영역에서 역방향 항복전압 계산 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (12)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-560-000832004