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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이은구 (Bucheon University)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제62권 제9호
발행연도
2013.9
수록면
1,255 - 1,259 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (10)

2013

Spherical 구조를 갖는 고전압용 Analog CMOS의 Drain 역방향 항복전압의 계산 방법
이은구 전기학회논문지 2013.09 학술저널

2012

Cylindrical 구조를 갖는 LDMOS의 Drain 역방향 항복전압의 계산 방법
이은구 전기학회논문지 2012.12 학술저널

2003

포아송 방정식의 해를 이용한 NPN BJT의 베이스- 컬렉터간 역방향 항복전압 추출 알고리즘
이은구 ,  김태한 ,  김철성 전자공학회논문지-SD 2003.06 학술저널

2002

3차원 포아송 방정식의 해를 이용한 NPN BJT의 역방향 항복전압 추출에 관한 연구
이은구 ,  김태한 ,  이동렬 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2002.11 학술대회자료
집적회로용 PNP BJT의 역포화 전류 계산 방법에 관한 연구
이은구 ,  김태한 ,  이동렬 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2002.11 학술대회자료
집적회로용 PNP BJT의 베이스 Gummel Number 계산 방법에 관한 연구
이은구 ,  이동렬 ,  김태한 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 2002.11 학술대회자료
집적회로용 NPN BJT의 베이스-컬렉터간 역방향 항복전압 계산 방법에 관한 연구
이은구 ,  이동렬 ,  김태한 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 2002.11 학술대회자료

2001

유한요소법을 이용한 열흐름 방정식의 수치해석
이은구 ,  김태한 ,  강성수 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2001.06 학술대회자료

1996

유한 요소법을 이용한 3차원 포아송 방정식의 수치해석
이은구 ,  김태한 ,  김철성 대한전자공학회 학술대회 1996.11 학술대회자료
유한 요소법을 이용한 3차원 포아송 방정식의 수치해석 ( A Numerical Analysis of The Three-Dimensional Poisson`s Equation Based on The New Finite-Element Discretization )
이은구 ,  김태한 ,  김철성 대한전자공학회 학술대회 1996.11 학술대회자료

초록· 키워드

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A calculation method of the breakdown voltage for the Drain region with the spherical structure in high voltage analog CMOS is proposed. The Drain depletion region is divided into many sub-regions and the doping concentration of each sub-region is assumed to be constant. The field in each sub-region is calculated by the integration of the net charge and the breakdown voltage is calculated using the ionization integral method. The breakdown voltage calculated using the proposed method shows the maximum relative error of 3.3% compared with the result of the 2-dimensional device simulation using BANDIS.
#Breakdown voltage #Spherical structure #Analog CMOS #Drain engineering #Ionization integral

목차

Abstract
1. 서론
2. Drain 영역에서 역방향 항복전압 계산 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
1. [단행본] - R.S.Muller / 2003 / Device Electronics for Integrated Circuits / John Wiley & Sons : 32 ~ 33 google schola 2. [단행본] - P. Antognetti / 1986 / Power Integrated Circuits: Physics, Design, and Applications / McGraw-Hill : 2.44 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S.C.Sun / 1980 / Modeling of the On-Resistance of LDMOS, VDMOS, and VMOS Power Transistor / IEEE Trans. on Electron Device ED-27 (2) : 356 ~ 367 google schola 4. [단행본] - H.Ballan / 1999 / High Vlotage Device and Circuits in Standard CMOS Technologies / Kluwer Academics Pub. : 6 ~ google schola 5. [단행본] - B.Murari / 1996 / Smart Power ICs Technologies and Applications / Springer : 53 ~ google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-500-002463561