압축응력 다중양자우물 구조 InGaAs/InGaAsP PBH-DFB-LD의 제작과 특성 평가 ( Fabrication and Characterization of InGaAs/InGaAsP Strained Multiple Quantum Well PBH-DFB-LDs )

이중기 ,  장동훈 ,  조호성 외 4명

전자공학회논문지-A

1995 .08

1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 레이저의 상온 연속발진 특성 분석

임정순 ,  이재훈 ,  이동한 외 4명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

패턴된 SiO2막을 이용한 불순물 없는 Vacancy 확산에 의한 INGaAs / InGaAsP 다중양자우물에서의 서로 섞임현상 ( Quantum-Well Intermixing in InGaAs/InGaAsP Multi-Quantum-Well by Impurity-Free Vacancy Diffusion using Patterned SiO2 Film )

윤경훈 ,  시상기 ,  여덕호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

선택영역 에피택시를 사용한 InGaAs / InGaAsP MQW 광흡수 변조기 / DFB LD 집적소자의 제작 및 그 특성 ( InGaAs / InGaAsP MQW Electroabsorptive Modulator Integrated DBF LD Fabricated by Selective Area Epitaxy )

김남헌 ,  조승룡 ,  이상동 외 8명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

선택영역 에피택시를 사용한 InGaAs / InGaAsP MQW 광흡수 변조기 / DFB LD 집적소자의 제작 및 그 특성 ( InGaAs / InGaAsP MQW Electroabsorption Modulator Integrated DFB-LD Fabricated by Selective Area Epitaxy )

김남선 ,  조승룡 ,  이상동 외 7명

한국통신학회 기타 간행물

1998 .01

고속직접변조를 위한 1.55μm InGaAsP/InGaAsP SL-MQW DFB-LD 의 양자우물구조의 최적화 ( Optimization of Multiple-quantum-well structures in 1.55μm InGaAsP/InGaAsP SL-MQW DFB-LD for high-speed direct modulation )

심종인 ,  한백형

전자공학회논문지-D

1997 .03

Dependence of High-Power and Single-Mode Properties on Asymmetric Facet Coatings in InGaAs/InGaAsP FP-LD

Shi Yun Cho ,  Jong In Shim ,  Bak Hyung Han 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

선택영역 에피택시를 사용한 InGaAs/InGaAsP MQW 광흡수 변조기 / DFB LD 집적소자의 제작 및 그 특성 ( InGaAs / InGaAsP MQW Electroabsorptive Modulator Integrated DFB LD Fabricated by Selective Area Epitaxy )

김남헌 ,  조승룡 ,  이상동 외 7명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

The Characteristics of Semiconductor Laser Diodes(LDs) Using InGaAs/GaAs Quantum Dots in an In0.1Ga0.9As Quantum Well

허두창 ,  배형철 ,  송진동 외 8명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on impurity free vacancy disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure

H. T. Yi ,  W. J. Choi ,  D. H. Woo 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1999 .05

MOCVD에 의한 InGaAs, InGaP 및 InGaAsP필름의 성장 및 조성변화에 대한 수치해석 연구

임익태 ,  김동석 ,  김우승

반도체및디스플레이장비학회지

2005 .01

선택 영역 MOCVD 성장법을 이용한 1.3 Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD 제작 ( Selective area MOCVD growth for 1.3 strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD )

김태진 ,  지정근 ,  이정석 외 4명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

InGaAs / InGaAsP MQW Structure Grown on Corrugated Substrate

오경석 ,  강중구 ,  이수원 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

선택 영역 MOCVD 성장법을 이용한 1.3㎛ Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD 제작 ( Selective Area MOCVD Growth for 1.3㎛ Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD )

김태진 ,  지정근 ,  이정석 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

2 × 2 InGaAsP/ InP LD-Gate Optical Switch

오광룡 ,  안주현 ,  이승원 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Dependence of High-Speed Properties on InGaAsP-InGaAsP MQW ( Multiple-Quantum -Well ) Structures in 1.55 μm λ/4-Shifted DFB Lasers

Jong In Shim ,  Tae Il Kim

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

980 nm InGaAs / InGaAsP SL-SCH-SQW구조 LD의 파장 변화 특성 고찰 ( Wavelength Shift of 980nm InGAAs / GaAs / InGaAsP SL-SCH-SQW Ridge Waveguide Laser Diode )

유준상 ,  이상호 ,  양승기 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

1.55λm InGaAsP / InGaAsP 다중양자우물구조 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향 ( Dependence of Extinction Ratio on the Carrier Transport in 1.55λm InGaAsP / InGaAsP Multiple-Quantum-Wee Electroabsorption Modulators )

심종인 ,  어영선

전자공학회논문지-SD

2000 .09

1.3-μm InGaAsP Multiple Quantum Well Laser on ( 211 ) InP Substrate

T. Tsuchiya ,  Y. Okuno ,  A. Niwa 외 1명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

780nm InGaAsP / GaAs LD의 단일모드 동작을 위한 구조설계

안세경 ,  하홍춘 ,  박윤호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01