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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.6
- 수록면
- 1,266 - 1,272 (7page)
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게이트 길이와 폭이 다른 InGaZnO 박막 트랜지스터를 제작하고 소자의 크기에 따른 문턱전압과 음의 게이트 전압 스트레스 후의 소자 특성 저하에 관한 연구를 수행하였다. 게이트 길이가 짧은 소자는 문턱전압과 문턱전압 아래의 기울기 역수가 감소하였고 채널 폭이 작은 소자는 문턱전압이 증가 하였다. 음의 게이트 전압 스트레스 후에는 전달특성 곡선이 왼쪽으로 이동하였고 문턱전압은 감소하였으며 문턱전압 아래의 기울기 역수는 변화가 거의 없었다. 이러한 결과는 게이트 유전체에 포획된 홀 때문으로 사료된다. 게이트에 음의 스트레스 전압을 인가한 후에 게이트 길이가 짧을수록 그리고 게이트 폭이 증가할수록 문턱전압의 변화가 적은 것은 홀 주입이 적기 때문으로 사료된다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자제작 및 측정
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (15)
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1. [학술지(정기간행물)] - K.S. Son / 2010 / Highly stable double gate Ga-In-Zn-O thin film transistor / IEEE Electron Device Lett 31 (8) : 812 ~ 814
2. [학술지(정기간행물)] - J.S. Park / 2010 / Influence of illumination on the nega-tive-bias stability of transparent hafnium-indium-zinc oxide thin-film transistors / IEEE Electron Device Lett 31 (5) : 440 ~ 442
3. [학술지(정기간행물)] - 박상희 / 201012 / Comparative Study on Light-Induced Bias Stress Instability of IGZO Transistors With SiNx and SiO2 Gate Dielectrics / IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 31 (12) : 1404 ~ 1406
4. [학술지(정기간행물)] - J.M. Lee / 2008 / Bias stress induced stretched exponential time dependence of threshold voltage shit in InGaZnO thin film transistors / Appl. Phys. Lett 93 : 093504 ~
5. [학술지(정기간행물)] - M.E. Lopes / 2009 / Gate-bias stress in amorphous oxide semiconductor thin-film transistors / Appl. Phys. Let 95 : 063502 ~
2. [학술지(정기간행물)] - J.S. Park / 2010 / Influence of illumination on the nega-tive-bias stability of transparent hafnium-indium-zinc oxide thin-film transistors / IEEE Electron Device Lett 31 (5) : 440 ~ 442
3. [학술지(정기간행물)] - 박상희 / 201012 / Comparative Study on Light-Induced Bias Stress Instability of IGZO Transistors With SiNx and SiO2 Gate Dielectrics / IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 31 (12) : 1404 ~ 1406
4. [학술지(정기간행물)] - J.M. Lee / 2008 / Bias stress induced stretched exponential time dependence of threshold voltage shit in InGaZnO thin film transistors / Appl. Phys. Lett 93 : 093504 ~
5. [학술지(정기간행물)] - M.E. Lopes / 2009 / Gate-bias stress in amorphous oxide semiconductor thin-film transistors / Appl. Phys. Let 95 : 063502 ~
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