3차원 낸드 플레쉬에서 타원형 GAA SONOS 셀의 프로그램과 삭제 특성 연구

최득성; 이승희; 박성계

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최득성 (영남이공대학교) 이승희 (영남이공대학교) 박성계 (SK하이닉스)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제50권 11호

발행연도: 2013.11

수록면: 219 - 225 (7page)

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본 논문은 소노스(SONOS) 형태의 타원형 게이트 올 어라운드(GAA) 구조를 갖는 플레쉬 셀의 프로그램과 삭제 특성을 채널의 이심률 변화에 대해 연구 하였다. 타원형 GAA SONOS 셀의 쓰기와 삭제에 대한 해석적 모델을 제안하고 평가하였다. 점진적 계단형 펄스 프로그램(ISPP)시 타원의 이심률이 증가할수록 인가 전압에 대해 문턱전압이 비선형적으로 변화한다. 이는 2차원 소노스 구조나 원형 3차원 GAA 구조에서 선형적 특성을 보이는 것과는 매우 다른 모습이다. ISPP 특성에 대한 모사의 결과는 실험적 결과와 잘 부합됨을 발견할 수 있다.

#SONOS #Gate All Around (GAA) #Elliptic #Program #Erase #Simulation #Electric Field #Threshold Voltage #Incremental Step Pulse Program

참고문헌 (23)

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J.-D. Lee / 2002 / Effects of floating-gate interference on NAND Flash memory cell operation / IEEE Electron Device Lett 23(5):264~266

M. Park / 2009 / Direct field effect of neighboring cell transistor on cell-to-cell interference of NAND Flash cell arrays / IEEE Electron Device Lett 30(2):174~177

T. Hara / 2006 / A 146-mm2 8-Gb multi-level NAND flash memory with 70-nm CMOS technology / J. Solid-State circuits, IEEE 41(1):161~169

H. Kurata / 2006 / The impact of random telegraph signals on the scaling of multilevel Flash memories / Proc. Symp. VLSI Circuits :112~113

C. Monzio Compagnoni / 2008 / Statistical model for random telegraph noise in Flash memories / IEEE Trans. Electron Devices 55(1):388~395

이 논문의 저자 정보

최득성

소속기관 영남이공대학교

주요연구분야 공학 > 공학 일반 공학 > 전기전자공학 > 전자공학

논문수 13 이용수 1,063

이승희

소속기관 영남이공대학교

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전자공학 공학 > 전기전자공학 > 정보통신공학

논문수 50 이용수 2,113

박성계

소속기관 SK하이닉스

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전자공학

논문수 4 이용수 1,423

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