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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.11
- 수록면
- 90 - 93 (4page)
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In this work, SONOS NAND flash memory with gate-all.around(GAA) and planar structures are investigated using TCAD simulations. According to Gauss’ law, GAA structure has superior program efficiency compared to planar structure. The result shows that 627 electrons are injected in GAA structure, while only 195 electrons are trapped in planar structure. Moreover, for the same reason, pass disturb is also released in the GAA structure.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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