지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
화학기상증착의 텅스텐 실리사이드 듀얼 폴리 게이트 구조에서 플로린이 게이트 산화막에 미치는 영향을 전기적 물리적 측정 방법을 사용하여 연구하였다. 플로린을 많이 함유한 텅스텐 실리사이드 NMOS 트랜지스터에서 채널길이가 감소함에 따라 게이트 산화막 두께는 감소하여 트랜지스터의 롤업(roll-off) 특성이 심화된다. 이는 게이트 재 산화막 열처리 공정에 의해 수직방향으로의 플로린 확산과 더불어 수평방향인 게이트 측면 산화막으로의 플로린 확산에 기인한다. 채널길이가 짧아질수록 플로린의 측면방향 확산거리가 작아져 수평방향 플로린 확산이 증가하고 그 결과 게이트 산화막의 두께는 감소하게 된다. 반면에 PMOS 트랜지스터에서는 P형 폴리를 만들기 위한 높은 농도의 붕소가 플로린의 게이트 산화막으로의 확산을 억제하여 채널길이에 따른 산화막 두께 변화 특성이 보이지 않는다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 토의
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - C. H. Kao / 2007 / Electrical and reliability improvement in Polyoxide by fluorine implantation / Journal of Electorchem. Soc 154 (4) : H259 ~ H262
2. [학술지(정기간행물)] - Y. Mitani / 2003 / Improvement of charge to breakdown distribution by fluorine incorporation into thin gate oxides / Electron Devices, IEEE Transactions on 50 (11) : 2221 ~ 2226
3. [학술지(정기간행물)] - J. C. Lee / 2011 / Study on electrical characteristics and reliability of fluorinated HfO2 for HKMG / Micorelectronic Engineering 88 : 1417 ~ 1420
4. [학술지(정기간행물)] - H. H. Tseng / 2007 / Defect passivation with fluorine and interface engineering for Hf-Based High-k/Metal gate stack device reliability and performance enhancement / Electron Devices, IEEE Transactions on 54 (12) : 3267 ~ 3275
5. [학술지(정기간행물)] - W. C. Wu / 2007 / High-performance HfO2 gate dielectrics fluorinated by postdeposition CF4 plasma treatment / Journal of Electorchem. Soc 154 (7) : H561 ~ H565
2. [학술지(정기간행물)] - Y. Mitani / 2003 / Improvement of charge to breakdown distribution by fluorine incorporation into thin gate oxides / Electron Devices, IEEE Transactions on 50 (11) : 2221 ~ 2226
3. [학술지(정기간행물)] - J. C. Lee / 2011 / Study on electrical characteristics and reliability of fluorinated HfO2 for HKMG / Micorelectronic Engineering 88 : 1417 ~ 1420
4. [학술지(정기간행물)] - H. H. Tseng / 2007 / Defect passivation with fluorine and interface engineering for Hf-Based High-k/Metal gate stack device reliability and performance enhancement / Electron Devices, IEEE Transactions on 54 (12) : 3267 ~ 3275
5. [학술지(정기간행물)] - W. C. Wu / 2007 / High-performance HfO2 gate dielectrics fluorinated by postdeposition CF4 plasma treatment / Journal of Electorchem. Soc 154 (7) : H561 ~ H565
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-560-001352712