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학술저널
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김선경 (울산대학교) 김승홍 (울산대학교) 김소영 (울산대학교) 전재현 (울산대학교) 공태경 (울산대학교) 윤대영 (동국실업) 최동용 (동국실업) 최동혁 (동국실업) 손동일 (동국실업) 김대일 (울산대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제47권 제2호
발행연도
2014.4
수록면
81 - 85 (5page)

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Ga doped ZnO (GZO)/Al bi-layered films were deposited on the glass substrate by RF and DC magnetron sputtering and then vacuum annealed at different temperatures of 100, 200 and 300℃ for 30 minutes to consider the effects of annealing temperature on the structural, electrical and optical properties of the films. For all depositions, the thicknesses of the GZO and Al films were kept constant at 95 and 5 nm, respectively, by controlling the deposition time. As-deposited GZO/Al bi-layered films showed a relatively low optical transmittance of 62%, while the films annealed at 300℃ showed a higher transmittance of 81%, compared to the other films. In addition, the electrical resistivity of the films was influenced by annealing temperature and the lowest resistivity of 9.8 × 10<SUP>?4</SUP> Ωcm was observed in the films annealed at 300℃. Due to the increased carrier mobility, 2.35 ㎠ V<SUP>?1</SUP>S<SUP>?1</SUP> of the films. From the experimental results, it can be concluded that increasing the annealing temperature enhanced the optical and electrical properties of the GZO/Al films.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과
3. 결론
References

참고문헌 (13)

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