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광전소자 유연기판으로 사용되는 폴리에테르설폰(PES) 필름 위에 E beam을 이용하여 저온 증착된 indium tin oxide(ITO) 박막 특성을 살펴보았다. 증착 시 기판 온도가 증가함에 따라 저온 열처리 과정에서 ITO 결정화가 잘 이루어져 면 저항의 감소와 투과도가 증가됨을 알 수 있었다. 증착 시 사용된 산소 가스는 ITO의 결정화를 촉진 시켜 면 저항 감소와 투과도 증가에 도움을 줌을 확인하였다. PES 기판 표면 거칠기가 증가될수록 증착된 ITO의 결정화가 잘 이루어지지 않으며 이는 면 저항의 증가 및 투과도의 감소 요인으로 작용함을 알 수 있었다.
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1. [학술지(정기간행물)] - M. C. Choi / 2008 / / Prog. Polym. Sci. 33 : 581 ~
2. [학술지(정기간행물)] - I. Hamberg / 1986 / / J. Appl. Phys. 60 : 123 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S. Muranaka / 1987 / / Thin Solid Films 151 : 355 ~
4. [학술지(정기간행물)] - S. Ishibashi / 1990 / / J. Vat. Sci.Technol. A8 : 1403 ~
5. [학술지(정기간행물)] - S. Ray / 1983 / / J. Appl. Phys. 54 : 3497 ~
2. [학술지(정기간행물)] - I. Hamberg / 1986 / / J. Appl. Phys. 60 : 123 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S. Muranaka / 1987 / / Thin Solid Films 151 : 355 ~
4. [학술지(정기간행물)] - S. Ishibashi / 1990 / / J. Vat. Sci.Technol. A8 : 1403 ~
5. [학술지(정기간행물)] - S. Ray / 1983 / / J. Appl. Phys. 54 : 3497 ~
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