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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.5
- 수록면
- 976 - 985 (10page)
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The purpose of this paper is lhat the roughness(Rrms = 31Å, Rp-v = 270Å) of IT0 thin film deposited by sputtering method for OELD is improved to Rrms ≤lOÅ. Rp-v ≤80Å by chemieal mechanical polishing(CMP). First. IT0 thin films are polished with a variety of consumables (Pads. Slurrics) to choose proper some for the roughness improvement and the CMP mechanism of ITO thin films is demonstrated on the ground of the experiment results. Henceforth, the CMP characteristics (Removal rate. Non-uniformity) of chosen consumables are evaluated according to processing conditions (Polishing pressures. Table velocities) and suitable conditions for ITO film CMP are selected. Finally, the electrical and optical properties (Sheet resistance, Transmittance) of ITO thin films are investigated to verify whether or not ITO thin film are slill suitable far OELD after polished
목차
Abstract
1.서론
2.패드 선정 실험
3.슬러리 선정 실험
4.ITO CMP 메커니즘 분석
5.가공 조건에 따른 CMP 특성 평가
6.CMP 후 ITO박막의 전기, 광학적 특성
7.결론
참고문헌
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