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이 논문의 연구 히스토리 (6)
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Superstrate pin amorphous silicon thin-film(a-Si:H) solar cells are prepared on SnO₂:F and ZnO:Al transparent conducting oxides(TCO) in order to see the effect of TCO/p-layers on a-Si:H solar cell operation. The solar cells prepared on textured ZnO:Al have higher open circuit voltage VOC than cells prepared on SnO₂:F. Presence of thin microcrystalline p-type silicon layer({mu}c-Si:H) between ZnO:Al and p a-SiC:H plays a major role by causing improvement in fill factor as well as V_{OC} of a-Si:H solar cells prepared on ZnO:Al TCO. Without any treatment of pi interface, we could obtain high V_{OC} of 994mV while keeping fill factor(72.7%) and short circuit current density J_{SC} at the same level as for the cells on SnO₂:F TCO. This high V_{OC} value can be attributed to modification in the current transport in this region due to creation of a potential barrier.
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