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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.10 No.3
- 발행연도
- 2015.5
- 수록면
- 1,131 - 1,137 (7page)
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Gallium nitride (GaN) is a promising material for next-generation high-power applications due to its wide bandgap, high breakdown field, high electron mobility, and good thermal conductivity. From a structure point of view, the vertical device is more suitable to high-power applications than planar devices because of its area effectiveness. However, it is challenging to obtain a completely upright vertical structure due to inevitable sidewall slope in anisotropic etching of GaN. In this letter, we design and analyze the enhancement-mode n-channel vertical GaN MOSFET with variation of sidewall gate angle by two-dimensional (2D) technology computer-aided design (TCAD) simulations. As the sidewall slope gets closer to right angle, the device performances are improved since a gradual slope provides a leakage current path through the bulk region.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Simulation Results and Discussions
3. Conclusion
References
참고문헌 (29)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - B. Gelmont / 1993 / Monte Carlo simulation of electron transport in gallium nitride / J. Appl. Phys 74 (3) : 1818 ~ 1820
2. [학술지(정기간행물)] - H. Yu / 2005 / Ion implanted AlGaN-GaN HEMTs with nonalloyed ohmic contacts / IEEE Electron Device Lett 26 (5) : 283 ~ 285
3. [학술지(정기간행물)] - M. Micovic / 2000 / GaN/AlGaN high electron mobility transistors with fT of 110 GHz / IEEE Electronics Lett 36 (4) : 358 ~ 359
4. [학술지(정기간행물)] - U. K. Mishra / 2008 / GaN-Based RF power devices and amplifiers / Proc. IEEE 96 (2) : 287 ~ 305
5. [학술대회논문] - W. Huang / 2006 / Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n-GaN/Sapphire Substrates / Proc. of the 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s
2. [학술지(정기간행물)] - H. Yu / 2005 / Ion implanted AlGaN-GaN HEMTs with nonalloyed ohmic contacts / IEEE Electron Device Lett 26 (5) : 283 ~ 285
3. [학술지(정기간행물)] - M. Micovic / 2000 / GaN/AlGaN high electron mobility transistors with fT of 110 GHz / IEEE Electronics Lett 36 (4) : 358 ~ 359
4. [학술지(정기간행물)] - U. K. Mishra / 2008 / GaN-Based RF power devices and amplifiers / Proc. IEEE 96 (2) : 287 ~ 305
5. [학술대회논문] - W. Huang / 2006 / Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n-GaN/Sapphire Substrates / Proc. of the 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s
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