메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
사공현철 (삼성전자) 최현식 (조선대학교)
저널정보
조선대학교 IT연구소 정보기술융합공학논문지 정보기술융합공학논문지 제8권 제2호
발행연도
2018.12
수록면
49 - 53 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
전기자동차 시장의 성장과 고효율 전력변환 회로에 대한 관심으로 GaN 파워 소자가 주목을 받고 있다. GaN 파워 소자의 경우에는 높은 breakdown 전압을 가지고, 나노초 수준의 빠른 스위칭이 가능하고, 낮은 턴온 저항을 가지므로 고효율 회로에 적합하다. 향후 파워 회로에서는 실리콘 기반의 insulated gate bipolar transistor (IGBT) 대신에 GaN 파워 소자가 적용될 가능성이 크다. 그러나 GaN 파워 소자의 경우에는 아직 낮은 신뢰성과 소자간의 편차가 큰 문제가 되고 있다. 본 논문에서는 공정 온도에 따른 소자의 신뢰도 변화와 소자간의 편차 변화를 분석하여, 적합한 공정온도를 통한 GaN 파워 소자의 효율 증가를 목표로 한다. 이 경우의 공정 온도는 소자의 신뢰성에 가장 큰 영향을 줄 수 있는 AlGaN 층의 성장 온도로 정의하였다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. GaN 파워 소자
3. 공정 온도에 따른 DC 특성
4. 공정 온도에 따른 신뢰성
5. 공정 온도에 따른 소자 분포
6. 결론
참고문헌

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0