축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )

김성수 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )

박상준 ,  박명기 ,  최시영

전자공학회논문지

1989 .11

Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films

Ko ,  D.H. ,  Kang 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01

$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동

김태훈 ,  류명관 ,  김진원 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

Si와 Ge의 초정밀 절삭특성

원종호 ,  박상진 ,  안병민 외 4명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2000 .05

Si₁ₓ-Geₓ/Si 구조에서의 Hall 이동도

강대석 ,  신창호 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )

박명기 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과

이철진 ,  박정훈 ,  김성진

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

Formation and Properties of Mg-Cu-(Si, Ge) Amorphous Alloys

Kim ,  Sung-Gyoo ,  Pa 외 2명

한국주조공학회지 (주조)

1997 .01

저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth

이철진 ,  엄문종

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )

이철진 ,  엄문종

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Surface Treatment of Ge Grown Epitaxially on Si by Ex-Situ Annealing for Optical Computing by Ge Technology

Xiaochi Chen ,  Yijie Huo ,  Seongjae Cho 외 5명

IEIE Transactions on Smart Processing & Computing

2014 .10

산화막 형성과 열처리를 이용한 $Si_{0.77}Ge_{0.23}$ 박막의 격자 이완

김현우 ,  홍석원 ,  배덕규 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2004 .01

Suppression of 3D Island formation in Ge / Si

Se Jong Kahng ,  Ji Yong Pa ,  k 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Si 기판에서의 광소자 응용을 위한 Ge 박막의 Transfer 기술개발

안창근 ,  조원주 ,  임기주 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

DC Characteristics of P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Si₀.₈₈Ge₀.₁₂(C) Heterostructure Channel

Sang Sik Choi ,  Hyun Duk Yang ,  Tae-Hyun Han 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2006 .06

Si / Si0.8 Ge0.2 / Si 양자우물구조에서의 정공특성 분석

전상훈 ,  홍성철 ,  이승창 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01