저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth

이철진 ,  엄문종

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

IN-SITU PHOSPHORUS HEAVY DOPING ON $Si_{1-x}Ge_x$ EPITAXIAL GROWTH WITH HIGH Ge FRACTION BY USING LPCVD

Lee ,  C.J. ,  Matsuu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장

임재영 ,  이철로 ,  노삼규 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과

이철진 ,  박정훈 ,  김성진

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

Si_1-xGe_x/Si에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포

신창호 ,  김태형 ,  김재범 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )

박명기 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과

이철진 ,  엄문종 ,  성만영

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .11

In-Situ Phosphorus Doping Effect on Si0.8 Ge0.2 Epitaxial Growth by ultraclean LPCVD

이철진 ,  엄문종 ,  성만영

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과

李鐵眞

전기학회논문지

1998 .12

$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동

김태훈 ,  류명관 ,  김진원 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

축적된 Ge층이 Si1-xGex / Si의 산화막 성장에 미치는 영향 ( The Effects of Piled up Ge-rich Layer on the Oxide Growth of Si1-xGex / Si Epitaxial Layer )

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

Si 모재 위의 Si_(x)Ge_(1-x) 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 ( Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a Si_(x)Ge_(1-x) Epitaxial Film on a Si Substrate )

신정훈 ,  김재현 ,  엄윤용

대한기계학회 춘추학술대회

2001 .06

Optimization of Selective Epitaxial Growth of Silicon in LPCVD

Woo-Seok Cheong

[ETRI] ETRI Journal

2003 .12

PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )

김성수 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

Parametric study of the process parameters on the Si epitaxial growth

Imama Zaidi ,  Dong Guk Ko ,  Ik-Tae Im

대한기계학회 춘추학술대회

2017 .05

고농도 Ge fraction을 갖는 Si1-xGex막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과 ( In-situ Phosphorus Doping Effect on Epitaxial Growth of Si1-xGex Film with High Ge Fraction )

이철진 ,  박정훈 ,  김성진

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

Role of a Surfactant in Ge / Si Growth

Chan Wuk Oh ,  Eun Ja Kim ,  Young Hee Lee 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )

박상준 ,  박명기 ,  최시영

전자공학회논문지

1989 .11

Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films

Ko ,  D.H. ,  Kang 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01