Triclinic Lattice Deformation of InxGa1-xAs / GaAs Heterostructures Grown on ( 001 ) GaAs

이동건 ,  염효영 ,  임재영 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MODELING OF QUANTUM CONVERTERS

정규범 ,  임춘택 ,  조규형

대한전기학회 학술대회 논문집

1988 .07

양자 어셈블리어 분석을 통한 양자 컴퓨터의 구동 시간 예측

황용수 ,  최병수

대한전자공학회 학술대회

2016 .06

Quantum Well Lasers

이용탁

대한전자공학회 워크샵

1990 .01

나노양자 정밀측정

박세일

한국생산제조학회 학술발표대회 논문집

2011 .04

Quantum콘버터의 모델링 ( Modeling of Quantum Converters )

정규범 ,  임춘택 ,  조규형

대한전자공학회 학술대회

1988 .07

Quantum Transport in a Corrugated Gate AlGaAs / GaAs Wire Structure : Lateral Quantum Interference Effect, Nonlocal Properties, and Multiple Reflection Effect

Kyung Wan Pa ,  k ,  Seong Jae Lee 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Quantum Transport in a Corrugated One-Dimensional Quantum wire

이성재 ,  박경완 ,  신민철 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Quantum Modeling of Nanoscale Symmetric Double-Gate InAIAs/InGaAs/InP HEMT

Neha Ve ,  ma ,  M 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2013 .08

Exciton Binding Energies in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP Quantum Well Structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1997 .12

Effects of magnetic field on the excitonic photoluminescence linewidth due to interfacial quality in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP quantum well structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .10

2차원 양자 역학적 해석에 의한 고속 통신용 AlxGal-xAs/GaxIn1-xAs/GaAs HEMT 소자의 전자 농도 및 전위분포 계산 ( Calculation of Electron concentration and Electrostatic potential profile for AlxGal-xAs/GaxIn1-xAs/GaAs HEMT device by 2-Dimensional Quantum Mechanical analysis )

송영진 ,  황호정

전자공학회논문지-A

1993 .03

Orbital Quantum Bits in Si Quantum Dots

Ahn ,  Do-Yeol ,  Oh 외 3명

한국초전도학회 High Temperature Superconductivity

2006 .01

Pseudomorphic InxGa1-xAs ( x > 0.53 ) / In0.53 Al0.48 As Modulation-Doped Heterostructures의 Low-Field Transport와 계면에 관한 연구 ( Low-Field Transport and InterFace Properties of Pseudomorphic InxGa1-xAs / In0.53Al0.48 As Modulation-Doped Heterostructures )

오재응 ,  신충선 ,  마원석 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Barrier-Thickness Dependent Strain Relaxation in InGaAs / GaAs Multiple Quantum Well Structure

Sang Koo Pa ,  k ,  In Kim 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

High efficiency multiple quantum well device structure in red phosphorescent OLEDs

Pa ,  k ,  Tae-Jin 외 9명

한국정보디스플레이학회 International Meeting

2009 .01

이종 표면 p-AlxGa1-xAs / p-GaAs / n-GaAs / n+ -GaAs 태양전지 ( Heteroface p-AlxGa1-xAs / p-GaAs / n-GaAs / n+ -GaAs Solar Cell )

윤권중 ,  엄우용 ,  임성규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

Formation Processes of Exciton in AlGaAs / GaAs Quantum Well Structure

J. B. Zhu ,  H. J. Jeon ,  E. K. Suh 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Breakthrough of Single-Quantum Signal in Double-Quantum Filtering and Its Elimination

정관진 ,  J. Katz ,  S.K. Hilal 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .05

One Basis Quantum Key Distribution

Junaid u ,  Rehman ,  Saad Qaisa 외 2명

한국통신학회 학술대회논문집

2016 .11