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$N^+$이온주입된 사파이어 (0001)기판이 GaN epilayer에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향
한국재료학회지
2001 .01
열처리를 통한 GaN박막의 응력완화 효과
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
Excimer Laser-Assisted In Situ Phosphorous Doped Si(1-x)Gex Epilayer Activation
[ETRI] ETRI Journal
2003 .08
기판의 이온빔 전처리에 의한 GaN 에피층의 특성연구
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
CRYSTALLINITY OF GaN EPILAYERS ON GaN BUFFER GROWN BY MOCVD
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
Gan , InGaN / GaN 에피층의 광펌핑에 의한 자극방출 특성 ( Stimulated Emission from Optically Pumped GaN , InGaN / GaN Epilayers )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
GaN, InGaN/GaN 에피층의 광펌핑에 의한 자극방출 특성
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
전처리된 사파이어 기판에 성장한 GaN의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
Si(111) 위에 Ion beam 처리 후 AlN layer를 완충층으로 이용하여 성장시킨 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
In 코도핑 된 p-GaN의 광학적 특성
한국재료학회지
2008 .01
GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
AlGaN/GaN 에피층의 비정상적인 광발광과 Persistent Photoconductivity 현상
한국재료학회지
2003 .01
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