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GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향
한국재료학회지
2001 .01
Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
Time Evolution of a High-temperature GaN EpilayerGrown on a Low-temperature GaN Buffer Layerusing a Low-pressure MOCVD
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2006 .01
CRYSTALLINITY OF GaN EPILAYERS ON GaN BUFFER GROWN BY MOCVD
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
Si(111) 위에 Ion beam 처리 후 AlN layer를 완충층으로 이용하여 성장시킨 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
Electrical Transports of N-Type GaN Epilayers
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
$N^+$이온주입된 사파이어 (0001)기판이 GaN epilayer에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구
한국재료학회지
1999 .01
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
열처리를 통한 GaN박막의 응력완화 효과
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
HVPE를 이용한 GaN 완충층이 후막 GaN 성장에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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