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이용수
1996
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
참고문헌
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고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 열질화 효과 ( Thermal Nitridation Effects of Ultrathin Oxides Grown By High Pressure Oxidation )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
급속열질화에 의한 고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 특성개선 ( Improvement of Thin Oxide Grown by High Pressure Oxidation using Rapid Thermal Nitridation )
전자공학회논문지-D
1997 .08
Electrical Characteristics of Thin Oxide Grown by High-Pressure Oxidation with Rapid Thermal Nitridation
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Rapid Thermal Nitridation Effets on Ultrathin Oxides Grown by High Presure Oxidation for ULSI Device Applications
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
급속열산화법에 의한 실리콘 산화막의 특성 ( Characteristics of Silicon Oxide Films Grown by Rapid Thermal Oxidation )
전자공학회논문지-A
1991 .12
저압급속열산화법과 플라즈마확산산화법에 의한 실리콘 산화박막의 제조
화학공학
2008 .01
Hot Carrier Effect of n-MOSFET with Ultrathin Oxides Grown by High Pressure Oxidation and Nitrided in N2O
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
SiO2박막의 열적 질화 ( Thermal Nitridation of Thin SiO2 Film )
전자공학회논문지
1988 .11
MOCVD법에 의한 GaN에 미치는 사파이어($Al_{2}$$O_{3}$) 질화 처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
고주파 유도 가열에 의한 Si의 열적질화 ( Thermal Nitridation of Si by RF Induction Heating )
전자공학회논문지
1990 .09
급속 열처리에 의한 SiO2의 질화 ( Rapid Thermal Nitridation of SiO2 )
전자공학회논문지
1990 .05
$N_2O$ 분위기에서 열산화법으로 성장시킨 $SiO_2$초박막의 전기적 특성
한국재료학회지
1994 .01
Thermal property of ultrathin polymer films
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
1999 .04
상온 플라즈마 질화막을 이용한 새로운 부분산화공정의 물성 및 전기적 특성에 관한 연구 ( Study on the Material and Electrical Characteristics of the New Semi-Recessed LOCOS by Room Temperature Plasma Nitridation )
전자공학회논문지
1989 .04
ECR 플라즈마 질화에 의해 형성된 실리콘 질화막의 전기적 특성 ( Electrical Properties of Silicon Nitride Formed by ECR Plasma Nitridation )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
열처리 전후의 질화막에 대한 습식산화의 효과
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
실리콘 산화막의 열적질화와 그 MOS특성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1983 .01
$N_2$O 분위기에서 RTP로 제조한 실리콘 산화막의 산화 반응
한국재료학회지
1993 .01
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