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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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Si 이온주입결함이 B 의 channeling 및 확산에 미치는 영향 ( Effects of Si Ion Induced Defects on Channeling and Diffusion on B )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
Si+ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구 ( Characteristics of Si + - self implant Damage and Its Annealing Behavior )
전자공학회논문지-A
1994 .08
급속열처리에 따른 Si 이온주입 유기결함의 회복 거동 ( Annealing Behaviors of Various Defects in Si during Rapid Thermal Annealing )
대한전자공학회 워크샵
1996 .01
고에너지 이온주입 공정에 의한 유기 결함과 그 감소 대책
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
양자선 조사한 Si의 결함연구
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
이온 채널링-각주사 분석기법을 이용한 $Si_{1-x}Ge_{x}/Si$박막의 스트레인 측정
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Silicon Point Defects and Ultra-Low Energy Si Ion Implantation using Classical Molecular Dynamics )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
TOP ELECTRODE ANNEALING EFFECTS IN SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$/CeO$_2$/Si STRUCTURE
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2000 .11
BF2 이온 주입으로 형성된 a-Si 및 poly-Si 층을 혼합한 새로운 P+ 게이트 전극 구조 특성 연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
선택적인 Si 이온 주입이 비정질 실리콘의 레이저 결정화에 미치는 영향
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .11
B 및 Cs가 이중이온주입된 Si₃N₄ 박막의 전해질 용액 중 이온감지특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2004 .07
직접 접합된 Si-Si, Si-$SiO_2$/Si기판쌍의 접합 계면에 관한 연구
한국재료학회지
1994 .01
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si$_3$N$_4$∥Si (100) 기판쌍의 직접접합
한국재료학회지
2001 .01
전기로를 이용한 $Si∥SiO_2/Si_3N_4∥Si$기판쌍의 직접접합
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
Fe-5.8at.%Si과 (Si 웨이퍼 또는 Fe-Si합금)과의 접합에 의한 규소침투처리
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)
2003 .01
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