급속열처리에 따른 Si 이온주입 유기결함의 회복 거동 ( Annealing Behaviors of Various Defects in Si during Rapid Thermal Annealing )

김광일 ,  권영규 ,  정욱진 외 2명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합

이영민 ,  송오성 ,  이상현

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2000 .11

선형열처리를 이용한 Si(100)/Si$_3$N$_4$∥Si (100) 기판쌍의 직접접합

이영민 ,  송오성 ,  이상연

한국재료학회지

2001 .01

직접 접합된 Si-Si, Si-$SiO_2$/Si기판쌍의 접합 계면에 관한 연구

주병권 ,  방준호 ,  이윤희 외 2명

한국재료학회지

1994 .01

Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구

신영철 ,  전형탁

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

TOP ELECTRODE ANNEALING EFFECTS IN SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$/CeO$_2$/Si STRUCTURE

Shin ,  Dong-Suk ,  Lee 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

전기로를 이용한 $Si∥SiO_2/Si_3N_4∥Si$기판쌍의 직접접합

이상현 ,  이상돈 ,  서태윤 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

Si 이온주입결함이 B 의 channeling 및 확산에 미치는 영향 ( Effects of Si Ion Induced Defects on Channeling and Diffusion on B )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Si 이온주입결함이 B의 channeling 및 확산에 미치는 영향

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동

김태훈 ,  류명관 ,  김진원 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

급속 열처리시 Co/Ti/Si(100)계를 이용한 정합 Co$Si_{2}$형성기구 및 전기적 특성에 관한 연구

김기범 ,  곽준섭 ,  백홍구 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

Cu배선을 위한 Ta-Si-N Barrier에 관한 연구

신영훈 ,  김종철 ,  이종무

한국재료학회지

1997 .01

BF2 이온 주입으로 형성된 a-Si 및 poly-Si 층을 혼합한 새로운 P+ 게이트 전극 구조 특성 연구

김선우 ,  김기준 ,  손재현 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

인이 주입된 poly-Si/SiO2/Si 기판에서 텅스텐 실리사이드의 형성에 관한 연구 ( Study on Formation of W-Silicide in the Doped-Phosphorus poly-Si/SiO2/Si-Substrate )

정회환 ,  주병권 ,  오명환 외 1명

전자공학회논문지-A

1996 .03

a-Si TFT용, Si $O_{x}$의 저온성장에 관한 연구

정일채 ,  백청아 ,  이주현 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

SiO_x/n⁺-Si/Si(100) quantum well의 특성

김지훈 ,  변정현 ,  유정재 외 3명

Proceedings of KIIT Conference

2011 .05

불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )

황유상 ,  김동원 ,  문환구 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

불순물이 주입된 Poly-Si/Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior off Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )

최진석 ,  황유상 ,  강성건 외 5명

전자공학회논문지-A

1991 .12