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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Alfian Abdi (서울과학기술대학교) Hyouk-Kyu Cha (서울과학기술대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제52권 5호
발행연도
2015.5
수록면
58 - 65 (8page)

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본 논문에서는 신경 관련 인공 전자기기를 위한 신경 자극 집적회로를 0.18-㎛ 표준 CMOS 반도체 공정을 이용하여 설계하였다. 제안 된 신경 자극 회로는 12.8-V 전원을 사용하면서 10-kΩ의 부하에 최대 1 ㎃의 전류까지 전달이 가능하다. 표준 CMOS 공정 기술로 구현을 위해서 저전압 트랜지스터만을 이용하여 설계를 하였고, 고전압에서의 안정적인 동작을 위하여 트랜지스터 스태킹 기술을 적용하였다. 또한, 신경 자극 동작 후 전하 잔여량이 남아 있지 않도록 active charge balancing회로를 포함하였다. 제안 된 단일 채널 자극 집적회로의 경우 디지털-아날로그 변환기, 전류 출력 드라이버, 레벨 시프터, 디지털 제어부분, 그리고 active charge balancing 회로까지 모두 포함하여 전체 칩 레이아웃 면적은 0.13 ㎟ 을 차지하며, 다중 채널 방식의 신경 자극 기능의 체내 이식용 인공 전자기기 시스템에 적용을 하는데 적합하다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. System Architecture
Ⅲ. Circuit Design
Ⅳ. Simulation Results
Ⅴ. Conclusions
REFERENCES

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