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고출력 반도체 광원의 열유동 특성을 분석하고, 열전달 병목지점을 파악하여 열저항을 개선하는 방안을 도출하고, 전산모사를 통하여 개선 효과를 확인하였다. 띠구조 활성층을 가진 LD 광원의 경우에 발열부의 부피가 작을 뿐 아니라 발열면적이 좁아서 발열부 근처의 열전달 유효단면적이 매우 좁을 수 밖에 없는데, 이 부근의 경계면에 그래핀층을 추가적으로 적용하면 전체 열저항이 확연히 개선되는 것이 전산모사 되었다. 이는 열전달 경로상의 유효단면적이 넓어지는 효과를 가져와 전체 열저항이 확연히 개선되는 것으로 파악되었다.
목차
I. 서론
II. 고출력 반도체 광원의 방열 특성
III. 그래핀 적용 LD 구조의 방열 특성 비교
IV. 결론
References
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
R.-H. Horng / 2013 / GaN light emitting diodes with wing-type imbedded contacts / Opt. Express 21:A1~A6
C. Tsou / 2006 / Silicon-based packaging platform for light-emitting diode / IEEE Transactions on Advanced Packaging 29:607~614
L. Yin / 2010 / Thermal design and analysis of multi-chip LED module with ceramic substrate / Solid-State Electronics 54:1520~1524
C. Weng / 2009 / Advanced thermal enhancement and management of LED packages / International Communications in Heat and Mass Transfer 36:245~248
M. arik / 2004 / Thermal management of LEDs: package to system / Proc. SPIE 5187:64~75
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