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고출력 레이저 다이오드 광원의 안정적 구동을 위한 방열 관리는 필수적이며, 발열부인 활성층 근처의 열흐름에 있어 병목이 심하므로 그 부분의 열저항을 분석하고 설계에 적용하여 개선하는 것이 매우 중요하다. 띠형 발열구조를 갖는 레이저 다이오드 광원은 열전달층 두께에 따라 열저항이 지수함수적으로 급격하게 증가하다가 점점 선형적으로 포화되므로 열저항을 분석함에 있어서 오차가 큰 어려움이 있으며, 보다 정확한 열저항 모델링이 필요하여 수정된 두께의존성 모델함수를 제안하고 그 정확성을 검증하였다. 또한, 전산모사로 얻어낸 열저항의 변화경향성을 미분하여 열전달-단면적의 변화를 구하여 열병목 부위가 직관적으로 파악되게 하였고, 제안하는 모델함수의 열전달-단면적 결과와도 비교하여 분석모델의 예측 정확성을 부연 확인하였다. 고열전도 보조층을 활용하여 열저항이 개선된 구조에 대하여도 그 열전달-단면적 변화경향과 열저항 개선효과를 높은 정확도로 분석한 결과를 소개한다.
목차
I. 서론
II. 본문
III. 결론
References
참고문헌 (4)
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지병관 / 2017 / Bypass Heat Sink Analysis for a Laser Diode Bar with a Top Canopy / Current Optics and Photonics 1(2):113~117
Z. Deng / 2019 / Temperature distribution and thermal resistance analysis of high-power laser diode arrays / Int. J. Heat Mass Transfer 134:41~50
지병관 / 2015 / Simple Thermal Diverging Model of The Thin Epitaxial Layer of InP Laser Diodes / Journal of the Korean Physical Society 67(7):1175~1178
지병관 / 2015 / 그래핀을 적용한 고출력 반도체 광원의 열특성 분석 / 한국광학회지 26(3):168~171
Z. Deng / 2019 / Temperature distribution and thermal resistance analysis of high-power laser diode arrays / Int. J. Heat Mass Transfer 134:41~50
지병관 / 2015 / Simple Thermal Diverging Model of The Thin Epitaxial Layer of InP Laser Diodes / Journal of the Korean Physical Society 67(7):1175~1178
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