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논문 기본 정보
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- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC 2015
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 1,014 - 1,017 (4page)
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PMOS Si bulk FinFET shows the different behavior of Gate-Induced-Drain-Leakage (GIDL) characteristics compared with that in the conventional MOSFET due to the strong gate controllability of FinFET. In this paper, we investigated the GIDL characteristics in Si bulk FinFET by comparing the current at off-state with that of MOSFET. As a result, it is observed that Bandto-band tunneling current is dominant mechanism in GIDL current of Si bulk FinFET.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Device Structure and Simulation Setup
3. Simulation Results and Discussion
4. Conclusion
References
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